2023年3月30日，由TrendForce集邦咨詢旗下LEDinside、WitsView主辦的集邦咨詢新型顯示產(chǎn)業(yè)研討會圓滿召開，上千名產(chǎn)業(yè)上下游代表共襄盛舉，共論新型顯示行業(yè)未來。晶能光電外延工藝經(jīng)理周名兵參加會議并分享了干貨滿滿的《硅襯底GaN LED技術于Mini/Micro LED產(chǎn)業(yè)應用機遇與挑戰(zhàn)》。

Micro LED作為“終極顯示技術”其在未來擁有千億級的市場，報告指出了Micro LED的優(yōu)勢及面臨的挑戰(zhàn)。面向AR應用，Micro LED在亮度、能效、可靠性、響應時間、色彩飽和度、厚度、尺寸等方面具有優(yōu)異的性能，市場潛力巨大，但目前也存在較大的技術挑戰(zhàn)，包括有效EQE有待提升；生產(chǎn)成本高，生產(chǎn)良率低；亮度一致性差；灰度響應/亮度漸變效果差；尚無理想的全彩方案等。

大尺寸硅襯底GaN LED技術已經(jīng)成為開發(fā)面向AR微顯Micro LED的主流路線，國內(nèi)外大多數(shù)的Micro LED公司都在研究，主要是基于硅襯底的Micro LED具有大尺寸、低成本、高波長一致性、無損去除、低翹曲、CMOS兼容性等優(yōu)點。

晶能光電在硅襯底GaN技術領域已深耕近二十年，在藍光LED領域率先實現(xiàn)全球產(chǎn)業(yè)化。公司將硅襯底GaN根技術應用于Micro LED，于2021年9月成功制備了RGB硅襯底Micro LED陣列，邁出了全彩化Micro LED芯片的關鍵性一步，成為全球第二家、國內(nèi)第一家掌握硅襯底RGB三色Micro LED芯片技術的公司。

對于實現(xiàn)全彩Micro LED來說，紅光LED是Micro LED技術的重大瓶頸之一，其效率、FWHM和波長漂移將會面臨重大挑戰(zhàn)。晶能光電在InGaN紅光LED外延方面取得了峰值EQE11.8%@1mm2的成果，處于行業(yè)領先水平。目前，晶能光電可向國內(nèi)外客戶提供標準厚度8英寸RGB InGaN LED外延片。

今年初，晶能光電開發(fā)出5 微米pitch的像素矩陣，年底將發(fā)布帶驅(qū)動的RGB三色陣列。接下來，我們將運用硅襯底Micro LED顯示技術，在AR眼鏡、矩陣車燈、HUD等方向，探究硅襯底Micro LED技術的產(chǎn)業(yè)化。

資料來源：LEDinside