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《2016年中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》熱點(diǎn):硅襯底LED技術(shù)不斷突破

時(shí)間:2017-01-03 來(lái)源: 點(diǎn)擊:2817

2016年年末,《2016年中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》(以下稱《白皮書》)發(fā)布。在《白皮書》中,國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)研究院(CSA Research)對(duì)2016年的LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)行了全景式回顧與展望。

《白皮書》指出,2016年LED技術(shù)水平明顯提升,熱點(diǎn)方向變化更迭。其中,硅襯底LED技術(shù)作為第三種技術(shù)路線不斷取得突破,硅基黃光LED(565nm)電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21%(20A/cm2),光效達(dá)到130 lm/W;硅基綠光LED(520nm)電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到40%(20A/cm2),光效超過(guò)180 lm/W,達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。硅襯底LED的技術(shù)突破為非熒光粉轉(zhuǎn)化的全光譜LED光源開(kāi)發(fā)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

(信息整理自中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng))


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